| 芯片型号： | 04µmCMOS工艺平台 |
| 芯片名称： | Si-gate CMOS |
| 简要描述： | 4µmCMOS工艺平台。0.4微米栅长, 单层多晶，单层金属. 应用于内置RC振荡器和晶体振荡器 |
| 详细介绍： | 1. 0.4微米CMOS，单多晶，单层金属，双阱工艺。 2. 工作电压3.3~5伏。 3. 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。 4. 11块掩模版，14个光刻层。 |
| 制造厂商： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 联系方式： | 0755-66823888 |
| 芯片价格： | |
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